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目前FPD所用的ITO燒成的靶材應(yīng)該是單一的三氧化二銦相結(jié)構(gòu)。所采用的工藝基本上是熱等靜壓和熱壓，這是目前國(guó)際上生產(chǎn)ITO靶材的主流工藝，韓國(guó)目前三星一家，其技術(shù)主要來源于日本，產(chǎn)品一部分采用STN，但主要用于TFT液晶生產(chǎn)，但其產(chǎn)品仍有縫隙（空洞）。我們的鉬鈮合金靶材可以避開這個(gè)不足。
